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导读：很多朋友不知道芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究

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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究④

2. 1. 2　 膜系结构中过渡层对绝缘电阻温度特性的影响

设定测试电压 25 V, 不同过渡层对样品绝缘电阻温度特性的影响如图 3 所示。 随着温度的升高, 不同过渡层对应的样品的绝缘电阻都呈下降的趋势, 原因是温度升高时, 带电粒子热运动加剧, 使通过介质内部的漏电流增大, 绝缘电阻下降  。 C 在 80 ℃ 以下的绝缘电阻大于 A 和 B, 但是随着温度上升, C 的绝缘电阻衰减速度较大; 温度高于 100 ℃ 时, A、 B、 C的绝缘电阻的衰减规律基本一致; 150 ℃ 时, A、 B、C 的绝缘电阻值基本相同。 值得注意的是, 绝缘电阻
偏压特性较差的 A 样品的温度特性反而比较好。 即采用 TiW 作为过渡层的 TiW/Au 膜系制备的样品, 其绝缘电阻随温度上升衰减趋势较平缓, 受温度变化影响较小, 具有更好的温度特性。
2. 1. 3　 膜系结构中过渡层对电容温度特性的影响
设定测试电压为 1 V, 测试频率为 1 kHz, 不同过渡层对样品电容温度特性的影响如图 4 所示, 由 图中曲线可以看出不同过渡层膜系制备的样品, 其电容随温度变化的差异不大, 基本控制在-10% ~ 13% 之间,都表现出了优异的性能, C 在 0 ℃ 以下的电容变化率略小于 A 和 B, 即 采用 TaN 和 TiW 作为 过渡层 的TaN/TiW/Au 膜系 制备的样品 C 电 容随温度的变化最小。

2. 1. 4　 膜系结构中过渡层对介电损耗温度特性的影响

通过测试电容器在不同温度条件下的介电损耗,不同膜系对高介陶瓷芯片电容介电损耗的温度特性的影响如图 5 所示。 由 图可知, 不同膜系制备的电容器样品的介电损耗随温度的变化情况具有明显的差异,如样品 C, 在 0 ~ 60 ℃ 的温度范围内, 介电损耗在三种样品中, 但在 0 ℃以下和 80 ℃以上时, 介电损耗却。 由此可知, 在高介薄型陶瓷芯片电容的生产中, 应根据产品的实际使用环境来选择不同的膜系结构制备电极, 使高介薄型陶瓷芯片电容在电子系统中使用时有的介电损耗  。

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