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导读：很多朋友不知道芯片电容中的超级电容器芯片制作方法，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答电容的制作方法简介。

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超级电容器芯片的制作方法简介①

本发明提供一种超级器芯片的制备方法、超级电容器芯片及超级电容器，其提供一具有导电线路的衬底；在所述衬底上形成两个独立设置的集流体，每个所述集流体电连接至衬底的导电线路之上；在其中一所述集流体上制备正电极，在另一所述集流体上制备负电极，并在正电极与负电极之间形成固态/准固态电解质膜，得到多层膜； 将所述多层膜用封装膜进行封装保护，得到超级电容器芯片。利用上述方法制备得出的超级电容器芯片集成超级电容器后能够满足大电流或大电压的使用需求。1 .一种超级电容器芯片的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：步骤S1，提供一具有导电线路的衬底；步骤S2，在所述衬底上形成两个独立设置的集流体，每个所述集流体电连接至衬底的导电线路之上；及步骤S3，在其中一所述集流体上制备正电极，在另一所述集流体上制备负电极，并在正电极与负电极之间形成固态/准固态电解质膜，得到多层膜；步骤S4，将所述多层膜用封装膜进行封装保护，得到超级电容器芯片。2.如权利要求1中所述的超级电容器芯片的制备方法，其特征在于：步骤S1中所述衬底的材料包括绝缘材料，具体包括布料、海绵、纸基材料、PET、PI、mSiO 2 · nH2 O、聚氨酯中的任一种，所述衬底在使用前可进行清洗处理。

3.如权利要求1中所述的超级电容器芯片的制备方法，其特征在于：步骤S2中所述集流
体包括不锈钢、Cu、Ni、Al、Au、Ag中的任一种。

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10pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容

型号：C12-15-100V-100
容值/容差：10pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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