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高电容密度硅基MIS芯片电容④

在 室温 下对 电容 器进 行  、，测 试 ，如 图 6 所 示 。电容器 在击 穿前 其 漏 电 流 曲 线 相 当 平 滑 ，漏 电流 小于 5 nA 。 电 容器 约 在 70 V 时达 到 击 穿 ，漏 电流 快速 上升 ，显示 了 良好 的 击穿特性 ，从 侧 面也 印证 了 电容介质 层 良好 的耐压 特性 。分 别选 取 了 l O只 芯 片 尺 寸 和介 质 层 结 构 均 相 同 的3I)_M IS 电容与 平 面 M IS 电容 进行 室温 下 电容 值 的测 试 ，结果 见 图 7 。 平 面结 构 的 M IS 电容 的 电 容值约 为 20 pF ，而 3D 结 构 的 M IS 电 容 由 于 深 孔 结 构极 大地 提 升 了 有效 电极 面积 ，在 耐压 7O V 下 其 电容值 达到 了 l 000 pF ．电 容 密 度 高 达 20 nF ／mm。 ，是平 面结 构 M IS 电容 的 5O倍 。图 7  3D-M IS 电 容 与平 面 M IS 电容 的 电 容值 对 比 曲 线对 3D—M IS 电容 和 常 见 的 X 7R 陶 瓷 电 容进 行了 温度 系数 的测 试 ，结 果 如 图 8 所 示 。 X 7R 陶瓷 电容在 125℃ 下 其 电 容 变 化 率 约 为 14 9／6，而 3D—M IS电容在 一55～ 15O~C 范 围 内 电容 变化 率 不 超 过 1％ ，体 现 了 良好 的温度 稳定 性 。与 国 外 IP DIA 公 司 的 W BS C 电容性 能 对 比结果 如表 1 所示 。 在 电容密 度 和温度 系 数均保 持 一致的情 况 下 ，击 穿 电 压相 比 W BSC 电 容 提 升 了 20 V 。

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